[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

本发明的各个实施例涉及制造半导体器件的方法。本发明的目标在于提供一种具有改进性能的半导体器件。一种制造半导体器件的方法包括：形成沟槽，并且然后通过使用含有O₃气体和TEOS气体的气体的CVD形成由氧化硅膜制成的第一绝缘膜以利用该绝缘膜覆盖沟槽的侧表面；通过PECVD形成由氧化硅膜制成的第二绝缘膜以利用该第二绝缘膜经由该第一绝缘膜覆盖沟槽的侧表面；以及通过使用含有O₃气体和TEOS气体的气体的CVD形成由氧化硅膜制成的第三绝缘膜，以利用该第三绝缘膜使得沟槽闭合，同时在沟槽中留出空间。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)在半导体衬底的主表面中，形成沟槽部分；(b)通过利用含有臭氧气体和四乙氧基甲硅烷气体的第一气体的化学气相沉积，在所述沟槽部分之中并且在所述半导体衬底的所述主表面之上形成具有氧化硅膜的第一绝缘膜；(c)通过等离子体化学气相沉积，在所述第一绝缘膜之上形成具有氧化硅膜的第二绝缘膜；以及(d)通过利用含有臭氧气体和四乙氧基甲硅烷气体的第二气体的化学气相沉积，在所述第二绝缘膜之上形成具有氧化硅膜的第三绝缘膜，其中在所述步骤(b)中，所述第一绝缘膜用以覆盖所述沟槽部分的第一侧表面，其中在所述步骤(c)中，所述第二绝缘膜用以经由所述第一绝缘膜而覆盖所述沟槽部分的所述第一侧表面，以及其中在所述步骤(d)中，所述第三绝缘膜用以闭合所述沟槽部分，同时在所述沟槽部分中留出空间。