[发明专利]一种 III 族半导体发光器件

摘要

本申请公开了一种III族半导体发光器件，包括：自下而上依次设置的衬底、缓冲层、n型氮化物半导体层、有源层和p型氮化物半导体层，并构成凸台，其中，凸台的上表面为p型氮化物半导体层的上表面；凸台表面上还设有N型线电极，N型线电极下方的有源层为被蚀刻掉或N型线电极下方的有源层为被部分蚀刻掉，N型线电极还连接有N型焊盘，该N型焊盘位于有源层上方，N型线电极与N型焊盘组成N型电极；发光器件还包括P型电极，包括：P型焊盘与P型线电极，该P型电极位于凸台上。本发明解决了有源层蚀刻过多的问题，增加了有源层从而改善光电特性，增加了发光面积，操作电压下降，亮度上升。

主权项

一种III族半导体发光器件，其特征在于，该发光器件包括：自下而上依次设置的衬底、缓冲层、n型氮化物半导体层、有源层和p型氮化物半导体层，并构成凸台，其中，所述凸台的上表面为p型氮化物半导体层的上表面；所述凸台表面上还设有N型线电极，所述N型线电极下方的有源层为被蚀刻掉或所述N型线电极下方的有源层为被部分蚀刻掉，所述N型线电极还连接有N型焊盘，该N型焊盘位于所述有源层上方，所述N型线电极与所述N型焊盘组成N型电极；所述发光器件还包括P型电极，包括：P型焊盘与P型线电极，该P型电极位于所述凸台上。