[发明专利]一种III族半导体发光器件的制作方法

摘要

本申请公开了一种III族半导体发光器件的制作方法，包括以下步骤衬底、缓冲层、n型氮化物半导体层、有源层和p型氮化物半导体层自下而上依次生长形成外延结构；沉积透明导电层在p型氮化物半导体层上，并利用黄光蚀刻制程定义凸台图案，得到凸台；沉积绝缘层在透明导电层的上表面及所述凸台的表面上，利用黄光剥离制程定义P型线电极和N型线电极的图案；黄光剥离制程定义P型焊盘和N型焊盘的图案，沉积P型焊盘和N型焊盘后利用剥离制程去除光阻，制成圆片；最后将圆片进行减薄、划片、裂片、测试、分选。本发明提供的制作方法比正装高阶的生产工序更少，生产周期缩短，大大降低了生产成本，发光面积变大，操作电压下降，亮度上升。

主权项

一种III族半导体发光器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：衬底、缓冲层、n型氮化物半导体层、有源层和p型氮化物半导体层自下而上依次生长形成外延结构，所述外延结构的上表面为所述p型氮化物半导体层的上表面；沉积透明导电层在p型氮化物半导体层上，所述透明导电层的厚度为10‑300nm；并利用黄光蚀刻制程定义凸台图案，再蚀刻透明导电层、p型氮化物半导体层和有源层，而暴露n型氮化物半导体层，再用蚀刻溶液将透明导电层内缩，后去除光阻，得到凸台，且所述凸台的上表面有透明导电层；然后在温度为560℃的条件下退火3分钟；沉积绝缘层在透明导电层的上表面及所述凸台的表面上，利用黄光剥离制程定义P型线电极和N型线电极的图案，再蚀刻绝缘层，沉积P型线电极和N型线电极后利用剥离制程，最后去除光阻，其中，所述P型线电极沉积于所述透明导电层上、或沉积于所述透明导电层及绝缘层之间，所述N型线电极沉积于所述n型氮化物半导体层上、或沉积于所述n型氮化物半导体层及绝缘层之间，所述N型线电极沉积在所述凸台上，所述N型线电极下方的有源层被蚀刻掉；黄光剥离制程定义P型焊盘和N型焊盘的图案，同时沉积P型焊盘和N型焊盘后利用剥离制程，再去除光阻，制成圆片，其中，所述P型焊盘沉积于所述绝缘层上；所述N型焊盘沉积在所述有源层的上方，所述N型焊盘沉积于所述绝缘层上；最后将所述圆片进行减薄、划片、裂片、测试、分选。