[发明专利]镶嵌结构的结构和形成方法有效
| 申请号： | 201510027762.5 | 申请日： | 2015-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN105870102B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 彭泰彥;吴佳典;郑价言 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体器件的结构和形成方法。该半导体器件包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的第一导电部件。该半导体器件也包括位于半导体衬底上方并且围绕第一导电部件的第一介电层。该半导体器件还包括位于第一导电部件上方的第二导电部件，并且第二导电部件延伸到第一导电部件内。此外，该半导体器件包括位于第一介电层上方并且围绕第二导电部件的第二介电层。本发明还涉及镶嵌结构的结构和形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 镶嵌 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；第一导电部件，位于所述半导体衬底上方；第一介电层，位于所述半导体衬底上方并且围绕所述第一导电部件；第二导电部件，位于所述第一导电部件上方，其中，所述第二导电部件延伸至所述第一导电部件内；以及第二介电层，位于所述第一介电层上方并且围绕所述第二导电部件；蚀刻停止层，位于所述第一介电层和所述第二介电层之间，所述蚀刻停止层围绕所述第一导电部件；以及中间介电层，位于所述蚀刻停止层和所述第二介电层之间，所述中间介电层围绕所述第一导电部件和所述第二导电部件。
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