[发明专利]形成堆叠沟槽接触的方法及由此形成的结构

摘要

描述了形成微电子器件的方法和相关的结构。那些方法可包括形成一结构，该结构包括置于基板的源/漏接触上的第一接触金属，以及置于该第一接触金属的顶表面上的第二接触金属，其中该第二接触金属设置于ILD内，该ILD置于设置在该基板上的金属栅的顶表面上。

主权项

一种基板上的晶体管，包括：包括栅电极层的栅结构；所述栅结构的第一侧上的源区；在所述栅结构的所述第一侧上并且与所述栅结构直接接触的第一间隙壁；所述源区的顶面上的第一硅化物层，其中，所述第一硅化物层不延伸到所述第一间隙壁下面；所述栅结构的第二侧上的漏区；在所述栅结构的所述第二侧上并且与所述栅结构直接接触的第二间隙壁；所述漏区的顶面上的第二硅化物层，其中，所述第二硅化物层不延伸到所述第二间隙壁下面；所述晶体管上方的第一ILD层；所述第一ILD层上方的第二ILD层；所述第一ILD层中的耦合到所述第一硅化物层的第一接触金属；所述第二ILD层内的直接耦合到所述第一接触金属的第二接触金属，其中，所述第二接触金属包括锥形结构，所述锥形结构具有在宽度上小于所述第二接触金属的顶部的底部；所述第一ILD层中的耦合到所述第二硅化物层的第三接触金属；以及所述第二ILD层内的直接耦合到所述第三接触金属的第四接触金属，其中，所述第四接触金属包括锥形结构，所述锥形结构具有在宽度上小于所述第四接触金属的顶部的底部。