[发明专利]EUV用防尘薄膜组件、使用其的EUV用组合体以及组合方法有效
申请号: | 201510028801.3 | 申请日: | 2015-01-20 |
公开(公告)号: | CN104793460B | 公开(公告)日: | 2018-12-28 |
发明(设计)人: | 山田素行;秋山昌次 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F1/24 | 分类号: | G03F1/24;G03F1/62 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇;李科 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种EUV用防尘薄膜组件,使用其的EUV用组合体以及其组合方法。本发明的EUV用防尘薄膜组件为由将防尘薄膜用网格结构体进行补强了的防尘薄膜结构体以及对该防尘薄膜结构体进行保持的防尘薄膜组件框架构成的EUV用防尘薄膜组件。网格结构体,由于EUV光在掩模面反射,2次通过EUV用防尘薄膜组件,所以在晶片上被投影为2种的影像。本发明的其特征在于,将间隔值进行设定,使所述影像的浓淡对比度比减小至25%以下,并且,这种间隔值,以设定为0.3mm~1.0mm的范围内为优选。 | ||
搜索关键词: | 防尘薄膜组件 防尘薄膜 网格结构体 结构体 组合体 影像 防尘薄膜组件框架 浓淡对比度 掩模面 补强 减小 晶片 优选 反射 投影 | ||
【主权项】:
1.一种EUV用防尘薄膜组件,由将防尘薄膜用网格结构体进行补强了的防尘薄膜结构体以及对该防尘薄膜结构体进行保持的防尘薄膜组件框架构成的EUV用防尘薄膜组件,网格结构体,由于EUV光在掩模面反射,2次通过EUV用防尘薄膜组件,所以在晶片上被投影为2种的影像,其特征在于,为了使所述影像的浓淡对比度比减小至25%以下,间隔值为0.3mm~1.0mm。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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