[发明专利]具有提供偏移互连的接口的堆叠式存储器有效
申请号: | 201510028887.X | 申请日: | 2011-12-02 |
公开(公告)号: | CN104617084B | 公开(公告)日: | 2018-11-09 |
发明(设计)人: | P.沃格特;A.沙伊费尔;W.莫罗;J.哈尔伯特;金镇永;K.休梅克 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065;H01L27/108 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 杨美灵;汤春龙 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 描述具有提供偏移互连的接口的堆叠式存储器的操作的动态操作。存储器装置的实施例包括系统元件和与所述系统元件耦合的存储器堆栈,所述存储器堆栈包括一个或多个存储器裸晶层。每个存储器裸晶层包括第一面和第二面,每个存储器裸晶层的第二面包括用于将存储器裸晶层的数据接口引脚与耦合的元件的第一面的数据接口引脚耦合的接口。每个存储器裸晶层的接口可包括提供存储器裸晶层的数据接口引脚中的每个与耦合的元件的数据接口引脚中的对应的数据接口引脚之间的偏移的连接。 | ||
搜索关键词: | 具有 提供 偏移 互连 接口 堆叠 存储器 | ||
【主权项】:
1.一种存储器装置,包括:存储器裸晶,所述存储器裸晶是所述存储器装置的堆叠的元件中的第一元件,其中所述存储器裸晶包括多个硅通孔TSV,其包含第一TSV,其中所述存储器裸晶具有一面,其中所述存储器裸晶的所述一面包括第一电连接区域且所述第一电连接区域耦合到所述第一TSV,以及所述存储器裸晶的所述一面上的接口区域,其中所述接口区域包括用于多个信号路径的第一信号路径的第一互连,所述多个信号路径的每个是连接所述存储器装置的所述堆叠的元件中的每个元件的路径,所述第一信号路径包括所述存储器裸晶与所述存储器装置的第二元件之间经由所述第一互连的部分,其中所述第一互连电耦合到所述第一电连接区域,其中所述第一互连在第二电连接区域中端接,以及其中所述第一TSV在第一方向穿过所述存储器裸晶,其中所述第一互连提供所述第一电连接区域和所述第二电连接区域之间的在所述第一信号路径中的第一偏移,所述第一信号路径中的所述第一偏移在第二方向中,以及其中所述第一方向与所述第二方向不同,并且所述第二电连接区域在所述第一方向与所述第一TSV除外的TSV对齐。
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