[发明专利]一种提高热蒸发制备AlF3薄膜的深紫外以及真空紫外波段时效性的方法在审
| 申请号： | 201510029391.4 | 申请日： | 2015-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN104593723A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 柳存定;李斌成;孔明东;郭春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/26;G02B1/10 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 610209*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高热蒸发制备AlF3薄膜的深紫外以及真空紫外波段时效性的方法，在高真空镀膜机中利用电阻加热蒸发方法蒸发AlF3；以AlF3作为低折射率材料，以其他氟化物作为高折射率材料，通过石英晶体振荡方法控制沉积在基板上的高低折射率材料薄膜厚度，制备具有特定性能的光学膜系；在膜系表面沉积特定厚度的MgF2膜层，提高AlF3薄膜深紫外波段的时效性，膜层厚度通过计算机优化获得。本发明可以提高以AlF3为镀膜材料的膜系在深紫外以及真空紫外波段的时效性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 蒸发 制备 alf3 薄膜 深紫 以及 真空 紫外 波段 时效性 方法 | ||
【主权项】：
一种提高热蒸发制备AlF3薄膜的深紫外以及真空紫外波段时效性的方法，其特征在于实现步骤如下：步骤(1)、在高真空镀膜机中利用电阻加热蒸发方法蒸发AlF3制备AlF3薄膜，电阻加热蒸发通过加热金属坩埚实现，金属坩埚由钨、钼或者钽材料制备；步骤(2)、以AlF3作为低折射率材料，以其他氟化物作为高折射率材料制备具有特定性能的光学膜系，AlF3与高折射率材料的厚度通过计算机优化确定，薄膜厚度可以通过石英晶体振荡光学控制方法控制；步骤(3)、在膜系表面沉积特定厚度膜层MgF2，提高AlF3薄膜深紫外波段的时效性，所需的MgF2材料的厚度在30nm以上。
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