[发明专利]抑制银凝聚的双源金属共沉积方法

摘要

本发明公开了抑制银凝聚的双源金属共沉积方法。添加金属材料选择：铝、金、铜、镁、钛或铟；基片选择：如果膜正反两面反射都要应用或要应用背面反射，选择透明材料；膜制备温度和使用温度，高温条件制备、使用的，要选择耐高温材料；基片清洗；沉积成膜要考虑：镀膜方式、基片温度、沉积方式、沉积真空度、两种金属材料比例及控制和薄膜厚度等；镀膜方式：可以选择电阻蒸发，电子束蒸发、磁控溅射等；基片温度：室温至300℃；沉积方式：双源金属共沉积，银和添加金属分别装在两个容器里共同沉积；沉积真空度：本底真空至少5×10^-3Pa。本发明在较普通的镀膜条件制备薄膜并实现较普通的高温条件下银薄膜良好光电性质的发挥。

主权项

抑制银凝聚的双源金属共沉积方法，其特征在于具有如下步骤：（一）添加金属材料选择：铝、金、铜、镁、钛或铟；（二）基片选择：如果膜正反两面反射都要应用或要应用背面反射，选择透明材料；如果只用膜表面反射，各种基片都可以；（三）膜制备温度和使用温度，高温条件制备、使用的，要选择耐高温材料；（四）基片清洗：基片使用前必须认真清洗；（五）沉积成膜要考虑：镀膜方式、基片温度、沉积方式、沉积真空度、两种金属材料比例及控制和薄膜厚度等；（六）镀膜方式：可以选择电阻蒸发，电子束蒸发、磁控溅射等；（七）基片温度：室温至300℃；（八）沉积方式：双源金属共沉积，银和添加金属分别装在两个容器里共同沉积；（九）沉积真空度：本底真空至少5×10^‑3Pa。