[发明专利]电子器件及其制造方法有效
申请号: | 201510030617.2 | 申请日: | 2015-01-21 |
公开(公告)号: | CN105374842B | 公开(公告)日: | 2019-09-24 |
发明(设计)人: | 李炯东 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24;H01L45/00;H01L27/22;G06F3/06 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 俞波;许伟群 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种电子器件包括半导体存储器。所述半导体存储器包括:在第一方向延伸的第一线;在与所述第一方向交叉的第二方向延伸的第二线;绝缘图案,其插设在所述第一线和所述第二线之间且位于所述第一线和所述第二线的第一交点处;以及可变电阻图案,其插设在所述第一线和所述第二线之间且位于所述第一线和所述第二线的第二交点处。中心交点由所述第一线和第二线中的相应中心线限定,并且中心交点对应于坐标(0,0)。第一交点位于第一虚拟线至第n+1虚拟线上,所述第n+1虚拟线具有多边形形状,在其中顶点对应于坐标(‑(k‑n),0)、(k‑n,0)、(0,k‑n)和(0,‑(k‑n)),其中k是自然数且n是在0至k‑1范围内的整数。 | ||
搜索关键词: | 电子器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种包括半导体存储器单元的电子器件,所述半导体存储器单元包括:在第一方向延伸的第一线;在与所述第一方向交叉的第二方向延伸的第二线;绝缘图案,其插设在所述第一线和所述第二线之间且位于所述第一线和所述第二线的交点中的第一交点处;以及可变电阻图案,其插设在所述第一线和所述第二线之间且位于所述第一线和所述第二线的交点中的第二交点处;其中,当由所述第一线中的中心第一线和所述第二线中的中心第二线限定的中心交点对应于坐标(0,0)时,所述第一交点位于第一虚拟线至第n+1虚拟线上,所述第n+1虚拟线具有多边形形状,在所述多边形形状中顶点对应于坐标(‑(k‑n),0)、(k‑n,0)、(0,k‑n)和(0,‑(k‑n)),其中k是自然数且n是在0至k‑1范围内的整数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的