[发明专利]双功函数掩埋栅型晶体管、形成方法和包括其的电子器件有效
| 申请号： | 201510030731.5 | 申请日： | 2015-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN105304710B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 姜东均 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种晶体管包括：源极区和漏极区，其形成在衬底中且彼此分隔开；沟槽，其形成在源极区和漏极区之间的衬底中；以及掩埋栅电极，其在沟槽的内部，其中，掩埋栅电极包括：下掩埋部分，其包括包含有含铝氮化钛的高功函数阻挡层、和设置在高功函数阻挡层之上的第一低电阻率层；以及上掩埋部分，其包括设置在下掩埋部分之上且与源极区和漏极区重叠的低功函数阻挡层、和设置在低功函数阻挡层之上的第二低电阻率层。 | ||
| 搜索关键词： | 函数 掩埋 晶体管 形成 方法 包括 电子器件 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，包括：源极区和漏极区，其形成在衬底中且彼此分隔开；沟槽，其形成在所述源极区和所述漏极区之间的所述衬底中；以及掩埋栅电极，其被设置在所述沟槽中，其中，所述掩埋栅电极包括：下掩埋部分，其包括高功函数阻挡层和设置在所述高功函数阻挡层之上的第一低电阻率层，其中，所述高功函数阻挡层包括含铝氮化钛；以及上掩埋部分，其包括低功函数阻挡层和设置在所述低功函数阻挡层之上的第二低电阻率层，其中，所述低功函数阻挡层被形成为包围所述第二低电阻率层的底部和侧壁，并且所述低功函数阻挡层和所述第二低电阻率层与所述源极区和所述漏极区重叠。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510030731.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：FinFET及其制造方法
- 下一篇：一种增强型HEMT器件
- 同类专利
- 专利分类
