[发明专利]通过使用前馈侧馈以及测量单元再使用的改进度量

摘要

本发明为通过使用前馈侧馈以及测量单元再使用的改进量度，属于半导体器件加工领域。随着半导体器件的部件尺寸越来越小，改进量度性能/生产率以及器件相关性的能力变得非常重要。本发明通过实施新颖的目标设计和使用前馈方案对薄膜/临界尺寸和叠对度量性能/生产率以及器件相关性的改进，使设置时间、度量时间最小化，并且使形成于半导体器件上的掩模版覆盖面积最小化。具体地，本发明提出用于在制造半导体器件中使用的测试结构，包括衬底和形成在衬底上或材料层中的两个或更多个测试单元；在第一测试单元上建模第一测量，所述第一测试单元形成在部分已制造的器件的层中；在所述层中的第二测试单元上执行第二测量；信息的馈送和进一步的建模。

主权项

一种用于在制造半导体器件中使用的测试结构，所述测试结构包括：衬底；形成在所述衬底上或形成在所述衬底的表面上的材料层中的两个或更多个测试单元；其中所述两个或更多个测试单元中的每个包括多个测试图形，所述测试图形形成在所述衬底上或形成在材料层上，所述材料层形成在所述衬底上；其中所述测试单元被配置来用于与两个或更多个光刻步骤相关联的度量测量，所述光刻步骤被执行在所述衬底或形成在所述衬底上的一个或更多个材料层上；其中针对至少一个光刻步骤，所述两个或更多个测试单元中的至少两个被形成基本上相同的测试图形；其中针对至少一个其他光刻步骤，所述两个或更多个测试单元中仅有一个被形成图形，而所述两个或更多个测试单元中的另一个则未被形成图形；其中所述两个或更多个测试单元中每个中的测试图形和/或所述两个或更多个测试单元中的两个或更多个间的所述图形中的差别被配置来便利度量信息的前馈或侧馈。