[发明专利]一种光电器件的电子阻挡层结构

摘要

本发明提出了一种光电器件的电子阻挡层结构，尽可能通过晶格结构和禁带宽度的调整来达到与量子阱和P层间的结构匹配；同时减少极化电场的形成，尽可能减弱电子阻挡层内的负电荷区域形成，进而提升效率；并减弱电子阻挡层的能带弯曲导致的电子泄露和P层空穴势能的增加。该光电器件的电子阻挡层结构采用AlInGaN或者AlInGaN/InGaN超晶格结构生长，其中In组分≤10％,Al组分≤40％；在电子阻挡层中存在In和Al组分的渐变分布，In与Al组分的渐变规律相互独立；对于AlInGaN/InGaN超晶格结构的电子阻挡层，In组分的渐变发生在超晶格的AlInGaN或者InGaN中，或者这两处都存在渐变。

主权项

1.一种光电器件的电子阻挡层结构，其特征在于：采用AlInGaN/InGaN超晶格结构生长，其中In组分≤10％,Al组分≤40％；在电子阻挡层中存在In和Al组分的渐变分布，In与Al组分的渐变规律相互独立，其中In组分的渐变发生在超晶格的AlInGaN或者InGaN中，或者这两处都存在渐变；In与Al组分的渐变规律具体是：Al组分为凹形和凸形交替的脉冲形式，整体呈递减趋势；且In组分为凹形和凸形交替的脉冲形式，整体呈递增趋势；或者Al组分为线性递减，且In组分为凹形和凸形交替的脉冲形式，所有脉冲单元相同。