[发明专利]用作微电子相变存储器的氨基吡啶Ge(Ⅱ)前质体及其制备方法有效
| 申请号： | 201510031654.5 | 申请日： | 2015-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN104558002B | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 丁玉强;王慧君;苗红艳;朱振中 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | C07F7/10 | 分类号： | C07F7/10;C07D213/74;C07D213/72;H01L51/30 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司23211 | 代理人： | 耿晓岳 |
| 地址： | 214122 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用作微电子相变存储器的氨基吡啶Ge(Ⅱ)前质体，该前质体以氨基吡啶及其衍生物为配体，依以下方法制备(1)将氨基吡啶及其衍生物溶解在反应溶剂中，‑78～0℃搅拌条件下加入烷基锂溶液，氨基吡啶或其衍生物与烷基锂摩尔比1.01.0～1.4，恢复室温继续搅拌，将Li配合物静置待用；(2)将步骤(1)得到的Li配合物与甲苯混合，‑78～0℃条件下以锂盐与金属锗摩尔比2.01.0～1.4滴加到二氯化锗的乙醚溶液中，升温至室温；(3)将步骤(2)得到的混合物过滤浓缩，滤渣用二氯甲烷提取，收集滤液，‑40～0℃低温结晶，得到所述的氨基吡啶Ge(Ⅱ)前质体。本发明合成方法简单，制备的前质体热稳定性高，挥发性好，成膜性能优良，是制备相变存储器潜在的重要前质体。 | ||
| 搜索关键词： | 用作 微电子 相变 存储器 氨基 吡啶 ge 质体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用作微电子相变存储器的氨基吡啶Ge(Ⅱ)前质体，其特征在于，具有以下结构：其中R1，R2，R3，R4，R5均为氢原子。
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