[发明专利]分布反馈型半导体激光元件、分布反馈型半导体激光元件的制造方法在审
| 申请号： | 201510032860.8 | 申请日： | 2015-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN104810723A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 上辻哲也;川崎和重;南政史 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种能够缩短电子束光刻所需的时间的分布反馈型半导体激光元件以及分布反馈型半导体激光元件的制造方法。该分布反馈型半导体激光元件的特征在于，具有：衬底(12)；活性层(16)，其形成在该衬底(12)的上方；以及衍射光栅(20)，其具有第1图案(20a)以及比该第1图案(20a)短且与该第1图案(20a)的中央部相对的第2图案(20b)，对该活性层(16)产生的光进行衍射。 | ||
| 搜索关键词： | 分布 反馈 半导体 激光 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种分布反馈型半导体激光元件，其特征在于，具有：衬底；活性层，其形成在所述衬底的上方；以及衍射光栅，其具有第1图案以及比所述第1图案短且与所述第1图案的中央部相对的第2图案，对所述活性层产生的光进行衍射。
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