[发明专利]一种具有超深沟槽的瞬态电压抑制器结构在审
| 申请号： | 201510033858.2 | 申请日： | 2015-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN104617157A | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 朱伟东;赵泊然 | 申请（专利权）人： | 应能微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人： | 刘述生 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有超深沟槽的瞬态电压抑制器结构，其包含一具有第一导电类型的掺杂硅衬底，在所述掺杂硅衬底表面设置有一系列密排的超深沟槽，所述超深沟槽通过掺杂多晶硅的填充，并经过高温推进形成一个立体的具有第二导电类型的扩散掺杂区域，与具有第一导电类型的晶圆掺杂硅衬底形成一个纵向结构的PN结。该纵向结构的PN结的结面积由侧面积和底面积所组成。而纵向结构的PN结的结面积可以通过沟槽刻蚀的深度来增加，因此这种具有纵向PN结的TVS二极管结构可以在更小的芯片尺寸上承受更大的浪涌功率（千瓦级）或浪涌电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 深沟 瞬态 电压 抑制器 结构 | ||
【主权项】：
一种具有超深沟槽的瞬态电压抑制器结构，其特征在于，包括：一具有第一导电类型（P型或N型）的掺杂硅衬底，在所述掺杂硅衬底表面设置有一系列密排的超深沟槽。
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