[发明专利]背接触太阳能电池的制造方法

摘要

一种背接触太阳能电池的制造方法，包含以热扩散法同时于一半导体基板的一背表面形成一第一掺杂区以及于该半导体基板的一受光面形成一第二掺杂区；移除该第二掺杂区；以离子布值法对该背表面的一第一子区域进行掺杂以形成一背表面电场区；对移除该第二掺杂区后的该受光面进行再蚀刻以提高该受光面的抗反射率；以及形成互相分离的一第一电极及一第二电极，且该第一电极与该第二电极分别与背接触太阳能电池的射极区与背表面电场区连接。

主权项

一种背接触太阳能电池的制造方法，其特征在于，包含：以一热扩散制程同时于一半导体基板的一背表面形成一第一掺杂区以及于该半导体基板的一受光面形成一第二掺杂区；以一第一蚀刻制程移除该第二掺杂区；以一第一离子布植制程对该背表面的一第一子区域进行掺杂以形成一背表面电场区；于该第一蚀刻制程后以一第二蚀刻制程对已移除该第二掺杂区的该受光面进行再蚀刻以提高该受光面的抗反射率；以及以一金属化制程于该背表面上形成互相分离的一第一电极及一第二电极，其中该第一子区域之外的该第一掺杂区形成一射极区，且该第一电极与该第二电极分别于该射极区与该背表面电场区连接。