[发明专利]一种制备纳米限域镁基储氢材料的方法无效

专利信息
申请号: 201510034371.6 申请日: 2015-01-23
公开(公告)号: CN104649229A 公开(公告)日: 2015-05-27
发明(设计)人: 吴成章;何大亮;周建芳;王宇龙;丁伟中 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: C01B6/04 分类号: C01B6/04
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人: 顾勇华
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明为一种制备纳米限域镁基储氢材料的方法,该种纳米限域方法属于新能源材料技术领域。其特征在于:此种储氢材料为氢化镁(MgH2)负载在介孔骨架材料纳米孔道中。通过二丁基镁(MgBu2)与介孔骨架材料浸渍,在高压反应釜中利用高温高压将MgBu2置换成负载在介孔骨架材料纳米孔道孔内外的MgH2,再用戊烷将负载在孔道外的MgH2洗去,经干燥制得。该种方法制得的纳米限域MgH2在室温下就可以放氢,具有优良的吸放氢动力学和放氢热力学。本发明方法操作简单,合成快,分散性好,具有理想的应用前景。
搜索关键词: 一种 制备 纳米 限域镁基储氢 材料 方法
【主权项】:
一种制备纳米限域镁基储氢材料的方法,其特征在于,用介孔骨架材料限域MgH2,使其颗粒尺寸降低到纳米级别。
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