[发明专利]半导体装置及半导体装置的电熔丝结构有效
| 申请号： | 201510035708.5 | 申请日： | 2015-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN105304610B | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 崔贤民 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L23/58 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 尹淑梅;韩芳 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种半导体装置和一种具有改善的熔丝性能以在低电压下能够进行编程操作的半导体装置的电熔丝结构。所述电熔丝结构包括：第一金属图案，形成在第一纵向上的水平面，第一金属图案包括沿第一方向延伸的第一部件、沿第一方向延伸并且布置成邻近于第一部件的第二部件以及邻近于第二部件的第三部件，第二部件位于第一部件和第三部件之间，第一部件和第二部件彼此电连接，第三部件与第二部件电断开连接；以及第二金属图案，电连接到第一金属图案，并形成在不同于第一纵向上的水平面的第二纵向上的水平面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 电熔丝 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括电熔丝结构，所述电熔丝结构包括：基板；第一金属图案，形成在基板上方的第一纵向上的水平面；第二金属图案，形成在基板上方的比第一纵向上的水平面靠近于基板的第二纵向上的水平面；以及导电连通结构，将第一金属图案物理连接且电连接到第二金属图案，其中，第一金属图案包括沿第一方向延伸的第一部件、沿第一方向延伸并邻近于第一部件的第二部件、将第一部件电连接且物理连接到第二部件的第三部件以及沿第一方向延伸并且邻近于第二部件但没有电连接到第一部件、第二部件或第三部件的第四部件，其中，第二部件位于第一部件和第四部件之间。
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