[发明专利]一种自支撑镍纳米线阵列膜的制备方法有效
| 申请号： | 201510035981.8 | 申请日： | 2015-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN104562097B | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 胡星;蔡抒枫;凌志远 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C25D1/00 | 分类号： | C25D1/00;C25D3/12;C25D11/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 陈文姬 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自支撑镍纳米线阵列膜的制备方法，包括以下步骤(1)对铝材进行去油、表面清洗；(2)以步骤(1)得到的铝材为阳极，以铝或钛为阴极，在草酸电解液中通过电压源对铝进行恒压阳极氧化；(3)将步骤(2)中获得的阳极氧化铝膜在1％～10％磷酸中进行扩孔；(4)将步骤(3)中获得的阳极氧化铝膜置于镍盐溶液中进行电沉积镍，使镍填充满阳极氧化铝的直孔通道并在阳极氧化铝膜表面形成一层致密连续的镍支撑层；(5)通过化学腐蚀法去除阳极氧化铝和铝获得自支撑镍纳米线阵列膜。本发明的制备方法，工艺简单、成本低廉且适合量产，可用于超级电容器，氢催化和燃料电池等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 支撑 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种自支撑镍纳米线阵列膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)对铝材进行去油、表面清洗；所述铝材为99.9％纯铝或铝合金；(2)以步骤(1)得到的铝材为阳极，以铝或钛为阴极，在1％～10％草酸电解液中通过电压源对铝进行恒压阳极氧化，电解液温度为0～30℃，阳极氧化电压为25～55V，时间10分钟～48小时，获得具有直孔通道的阳极氧化铝膜；所述阳极氧化铝膜具有肖特基势垒；(3)将步骤(2)中获得的阳极氧化铝膜在1％～10％磷酸中浸泡5～60分钟，温度为20～50℃；(4)将步骤(3)中获得的阳极氧化铝膜置于镍盐溶液中进行电沉积镍，使镍填充满阳极氧化铝的直孔通道并在阳极氧化铝膜表面形成一层致密连续的镍支撑层；(5)通过化学腐蚀法去除阳极氧化铝和铝获得自支撑镍纳米线阵列膜。
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