[发明专利]一种利用溶液法制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池中无镉缓冲层的新技术无效
| 申请号： | 201510036465.7 | 申请日： | 2015-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN104576837A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 刘德昂;谢承智;钱磊 | 申请（专利权）人： | 苏州瑞晟纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 铜铟镓硒(简称CIGS)薄膜太阳能电池由于其诸多优点，成为最有发展潜力的太阳能电池技术。在CIGS制备过程中，常常使用有毒的硫化镉(CdS)作为缓冲层，容易对环境造成污染，本发明提出一种新的制备CIGS薄膜太阳能电池中无镉缓冲层的技术：即用简单的溶液涂布法制备硫化铟(In2S3)薄膜作为缓冲层。先把In2S3粉末和硫粉共同溶解在联氨溶剂中，用喷涂/旋涂/刮涂/辊涂等溶液涂布方法在CIGS吸收层上，加热退火后就得到致密的In2S3缓冲层，从而得到高效的CIGS薄膜太阳能电池。本发明是一种不使用重金属镉、成本低廉、容易控制、高效，而且适合于工业化生产的CIGS薄膜太阳能电池中缓冲层的制备技术。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 溶液 法制 备铜铟镓硒 薄膜 太阳能电池 中无镉 缓冲 新技术 | ||
【主权项】：
本专利提出一种新的制备CIGS薄膜太阳能电池中无镉缓冲层的技术：即用简单的溶液涂布法制备硫化铟(In2S3)薄膜作为缓冲层。先把In2S3粉末和硫粉共同溶解在联氨溶剂中，用喷涂/旋涂/刮涂/辊涂等溶液涂布方法在CIGS吸收层上，加热退火后就得到致密的In2S3缓冲层，从而得到高效的CIGS薄膜太阳能电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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