[发明专利]非破坏性读出铁电存储器及其制备方法和操作方法有效

专利信息
申请号: 201510036586.1 申请日: 2015-01-24
公开(公告)号: CN104637949B 公开(公告)日: 2017-11-17
发明(设计)人: 江安全;耿文平;江钧 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: H01L27/11507 分类号: H01L27/11507;G11C11/22
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司31200 代理人: 陆飞,盛志范
地址: 200433 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明属于铁电存储技术领域,具体为一种非破坏性读出铁电存储器及其制备方法和操作方法。该非破坏性读出铁电存储器包括第一电极层、第二电极层和设置在第一电极层与第二电极层之间的铁电薄膜层,其中,第一电极层中设置有将其分为至少两个部分的间隙,铁电薄膜层的电畴的极化方向基本不垂直且基本不平行第一电极层的法线方向;其中,在第一电极层中的邻接间隙的两个部分之间偏置某一方向的读信号时,对应间隙的部分铁电薄膜层的电畴局部被反转而建立畴壁导电通道。本发明的铁电存储器可以实现电流方式的非破坏性读出,适合于高密度应用,并且制备简单、成本低。
搜索关键词: 破坏性 读出 存储器 及其 制备 方法 操作方法
【主权项】:
一种非破坏性读出铁电存储器,包括第一电极层(107)、第二电极层(103)和设置在所述第一电极层(107)与第二电极层(103)之间的铁电薄膜层(105),其特征在于,所述第一电极层(107)中设置有将其分为至少两个部分的间隙(109),所述铁电薄膜层(105)的电畴(1051,1053)的极化方向不垂直且不平行所述第一电极层(107)的法线方向;其中,在所述第一电极层(107)中的邻接所述间隙(109)的两个部分之间偏置某一方向的读信号时,对应所述间隙(109)的部分所述铁电薄膜层(105)的电畴局部被反转而建立畴壁导电通道。
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