[发明专利]非破坏性读出铁电存储器及其制备方法和操作方法有效
申请号: | 201510036586.1 | 申请日: | 2015-01-24 |
公开(公告)号: | CN104637949B | 公开(公告)日: | 2017-11-17 |
发明(设计)人: | 江安全;耿文平;江钧 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01L27/11507 | 分类号: | H01L27/11507;G11C11/22 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司31200 | 代理人: | 陆飞,盛志范 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于铁电存储技术领域,具体为一种非破坏性读出铁电存储器及其制备方法和操作方法。该非破坏性读出铁电存储器包括第一电极层、第二电极层和设置在第一电极层与第二电极层之间的铁电薄膜层,其中,第一电极层中设置有将其分为至少两个部分的间隙,铁电薄膜层的电畴的极化方向基本不垂直且基本不平行第一电极层的法线方向;其中,在第一电极层中的邻接间隙的两个部分之间偏置某一方向的读信号时,对应间隙的部分铁电薄膜层的电畴局部被反转而建立畴壁导电通道。本发明的铁电存储器可以实现电流方式的非破坏性读出,适合于高密度应用,并且制备简单、成本低。 | ||
搜索关键词: | 破坏性 读出 存储器 及其 制备 方法 操作方法 | ||
【主权项】:
一种非破坏性读出铁电存储器,包括第一电极层(107)、第二电极层(103)和设置在所述第一电极层(107)与第二电极层(103)之间的铁电薄膜层(105),其特征在于,所述第一电极层(107)中设置有将其分为至少两个部分的间隙(109),所述铁电薄膜层(105)的电畴(1051,1053)的极化方向不垂直且不平行所述第一电极层(107)的法线方向;其中,在所述第一电极层(107)中的邻接所述间隙(109)的两个部分之间偏置某一方向的读信号时,对应所述间隙(109)的部分所述铁电薄膜层(105)的电畴局部被反转而建立畴壁导电通道。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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