[发明专利]一种基于双向I/O缓冲的ESD保护电路

摘要

本发明特别涉及一种基于双向I/O缓冲的ESD保护电路。该基于双向I/O缓冲的ESD保护电路，包括两个输入信号，一个使能信号，PAD端口，FPB端口，FP端口，限流电阻R0，N型MOS管和P型MOS管，所述限流电阻R0连接PAD端口和电平转换电路。该基于双向I/O缓冲的ESD保护电路，同时解决了双向缓冲PAD作为输入和输出两种情况下大电流泄放的问题，具有很好的ESD防护作用，无论在哪种状态都能避免设备受到ESD损伤。

主权项

一种基于双向I/O缓冲的ESD保护电路，其特征在于：包括两个输入信号，一个使能信号，PAD端口，FPB端口，FP端口，限流电阻R0，N型MOS管和P型MOS管，所述限流电阻R0连接PAD端口和电平转换电路，所述FPB端口，FP端口分别为两个钳位电阻，其中FPB端口为高电平，FP端口为低电平；所述P型MOS管中P型MOS管P1源极连接P型MOS管P2源极，P型MOS管P3源极连接P型MOS管P4源极，N型MOS管N1与N型MOS管N2串联，N型MOS管N3与N型MOS管N4串联；其中P型MOS管P2、P型MOS管P4、N型MOS管N2、N型MOS管N4漏极直接与所述PAD端口相连，P型MOS管P1与P型MOS管P3漏极与3.3V电源相连，N型MOS管N1与N型MOS管N3源极接地；两个输入信号分别连接到P型MOS管P1和N型MOS管N1的栅极，所述FP端口连接N型MOS管N2和N型MOS管N4的栅极；另外，P型MOS管中P型MOS管P5管栅极接地，其漏极连接P型MOS管P3、N型MOS管N8的栅极，源极和衬底连接3.3V电源；N型MOS管N5栅极接3.3V电源，其漏极连接N型MOS管N3的栅极，源极和衬底接地，所述P型MOS管P5和N型MOS管N5一直处于导通状态；所述P型MOS管中P型MOS管P6和P型MOS管P7共同构成一个对高电位的选择器，P型MOS管P6的源极接和P型MOS管P7的栅极接PAD端口，P型MOS管P7的源极接3.3V电源，P型MOS管P6的漏极与P型MOS管P7的漏极相连，然后再与P型MOS管P1、P型MOS管P2、P型MOS管P3、P型MOS管P4、P型MOS管P6、P型MOS管P7以及P型MOS管P8的衬底连接到一起。