[发明专利]一种改善ESD防护能力的JFET在审
| 申请号： | 201510039247.9 | 申请日： | 2015-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN104617155A | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 李昊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 殷晓雪 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种改善ESD防护能力的JFET，保持源极到漏极的距离c不变，减小源极到栅极的距离a同时增大漏极到栅极的距离b，以提高该JFET的ESD防护能力。通过以上结构设计，本申请可以在不增加JFET面积、不降低JFET其他性能的前提下，大幅提升JFET的ESD防护能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 esd 防护 能力 jfet | ||
【主权项】：
一种改善ESD防护能力的JFET，其特征是，保持源极到漏极的距离c不变，减小源极到栅极的距离a同时增大漏极到栅极的距离b，以提高该JFET的ESD防护能力。
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