[发明专利]一种CVD生长大面积石墨烯的规模化方法

摘要

本发明涉及石墨烯的制备技术，具体为一种CVD生长大面积石墨烯的规模化方法。该方法通过在CVD生长中采用生长基体与固相碳源交替堆叠的方式，提高单批次生长大面积石墨烯的产量。本发明使用平面结构的生长基体和可循环利用的固相碳源，将两者交替堆叠进行CVD生长，在生长基体的上下表面形成大面积石墨烯，并重复使用固相碳源。生长基体与固相碳源交替堆叠的方式，大幅提高了生长基体的单批次装载量，并实现了生长基体的上下表面均生长出高质量的大面积石墨烯，从而提高单批次生长石墨烯的产量。采用可循环利用的固相碳源可以避免因大量消耗高纯气相碳源造成的高生产成本，因此可作为一种低成本、高效率生产大面积石墨烯的规模化方法。

主权项

一种CVD生长大面积石墨烯的规模化方法，其特征在于：该方法通过在CVD生长中采用生长基体与固相碳源交替堆叠的方式，使用平面结构的生长基体和可循环利用的固相碳源，将两者交替堆叠进行CVD生长，从而在生长基体的上下表面形成大面积石墨烯，并重复使用固相碳源；具体步骤如下：(1)采用平面结构的生长基体，在其表面形成均匀的固相碳源层；(2)在已形成的固相碳源层表面依次叠放第二层生长基体和固相碳源层；(3)重复上述步骤直至达到所需层数的生长基体；(4)将上述生长基体与固相碳源的叠层放入CVD系统进行生长，在生长基体的表面形成石墨烯；(5)待CVD生长结束后，将生长有石墨烯的生长基体与固相碳源分离，并将固相碳源再次用于CVD生长。