[发明专利]在FINFET装置的源/漏区上形成外延材料的方法及所形成装置在审
| 申请号： | 201510041064.0 | 申请日： | 2015-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN104810403A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | J·A·弗朗海泽;B·V·克里希南;M·K·阿卡瓦尔达;S·本特利;A·P·雅各布;刘金平 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及在FINFET装置的源/漏区上形成外延材料的方法及所形成装置，揭露一种示例装置，包括：定义于具有结晶结构的半导体衬底中的鳍片，其中，该鳍片的至少一侧壁基本朝向该衬底的<100>晶向设置；围绕该鳍片设置的栅极结构；邻近该栅极结构的相对侧设置的最外部侧间隙壁；以及围绕位于该装置的源/漏区中的该最外部侧间隙壁的横向外侧的该鳍片的部分形成的外延半导体材料，其中，该外延半导体材料沿该鳍片的该侧壁具有基本均匀的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 装置 漏区上 形成 外延 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：鳍片，定义于具有结晶结构的半导体衬底中，其中，该鳍片的至少一侧壁基本朝向该衬底的该结晶结构的<100>晶向设置；栅极结构，围绕该鳍片设置；最外部侧间隙壁，邻近该栅极结构的相对侧设置；以及外延半导体材料，围绕位于该装置的源/漏区中的该最外部侧间隙壁的横向外侧的该鳍片的部分形成，其中，该外延半导体材料沿该鳍片的该侧壁具有基本均匀的厚度。
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