[发明专利]一种耗尽型MOS管的制造方法及器件在审
| 申请号： | 201510041423.2 | 申请日： | 2015-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN105990399A | 公开（公告）日： | 2016-10-05 |
| 发明（设计）人： | 赵圣哲;马万里 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种耗尽型MOS管的制造方法及器件，该方法包括：通过在第一类型外延层的有源区注入第二类型杂质离子，并驱入形成第二类型体区；在所述第二类型体区上表面生长氧化层，并刻蚀；对没有氧化层的体区上表面进行沟槽刻蚀；以倾斜方式在所述沟槽侧壁进行第一类型杂质离子的第一次注入，形成第一类型沟道，并去除氧化层；在所述沟槽内依次生长栅氧化层、多晶硅层，并去除所述第二类型体区的上表面的栅氧化层；在所述沟槽两侧进行第一类型杂质离子的第二次注入，形成源区，再依次生长介质层和金属层。本发明可以实现耗尽型MOS管在低压场合应用不受限制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耗尽 mos 制造 方法 器件 | ||
【主权项】：
一种耗尽型MOS管的制作方法，其特征在于，该方法包括：在第一类型外延层的有源区注入第二类型杂质离子，并驱入形成第二类型体区；在所述第二类型体区的上表面生长氧化层，并刻蚀；对没有氧化层的体区的上表面进行沟槽刻蚀；以倾斜方式在所述沟槽侧壁进行第一类型杂质离子的第一次注入，形成第一类型沟道，并去除氧化层；在所述沟槽内依次生长栅氧化层、多晶硅层，并去除所述第二类型体区的上表面的栅氧化层；在所述沟槽两侧进行第一类型杂质离子的第二次注入，形成源区，再依次生长介质层和金属层。
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