[发明专利]一种稀土铁硼系各向异性磁粉的制备方法及所制备的磁粉有效
| 申请号： | 201510044158.3 | 申请日： | 2015-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN104625079B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 刘冬;李野;高俊彦;王倩;刘荣明;滕阳民 | 申请（专利权）人： | 北矿磁材科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B22F9/04 | 分类号： | B22F9/04;H01F1/057;H01F1/06 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司11260 | 代理人： | 郑立明,李闯 |
| 地址： | 102600 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种稀土铁硼系各向异性磁粉的制备方法及所制备的磁粉，该方法包括对稀土铁硼合金颗粒进行HDDR处理的步骤，并且对经过HDDR处理后的稀土铁硼合金颗粒再进行一次HDDR处理，从而得到高矫顽力的稀土铁硼系各向异性磁粉。本发明实施例不仅能够大幅提高稀土铁硼系各向异性磁粉的矫顽力，而且不会增加磁粉成本，也不会使磁粉的剩磁和最大磁能积大幅下降。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 稀土 铁硼系 各向异性 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种稀土铁硼系各向异性磁粉的制备方法，包括对稀土铁硼合金颗粒进行HDDR处理的步骤，其特征在于，还包括如下步骤：对经过HDDR处理后的稀土铁硼合金颗粒至少再进行一次HDDR处理，从而得到高矫顽力的稀土铁硼系各向异性磁粉；其中，所述的对稀土铁硼合金颗粒进行HDDR处理的步骤包括：步骤b1、吸氢‑歧化阶段：将稀土铁硼合金颗粒置入HDDR炉中，并在真空或惰性气体环境下加热至760～860℃，然后向HDDR炉内通入氢气，使HDDR炉内的氢气压力维持在20～100kPa，保温保压0.5～4小时，从而完成吸氢‑歧化阶段的处理；步骤b2、缓慢脱氢‑再结合阶段：在吸氢‑歧化阶段完成后，将HDDR炉内的温度提升至800～900℃，并使HDDR炉内的氢气压力调整为1～10kPa，保温保压15～180分钟，从而完成缓慢脱氢‑再结合阶段的处理；其中，所述的对经过HDDR处理后的稀土铁硼合金颗粒至少再进行一次HDDR处理包括如下步骤：步骤c1、第二次HDDR处理中吸氢‑歧化阶段：将经过HDDR处理后的稀土铁硼合金颗粒置入HDDR炉中，并在真空或惰性气体环境下加热至760～860℃，然后向HDDR炉内通入氢气，使HDDR炉内的氢气压力维持在20～100kPa，保温保压15分钟，从而完成吸氢‑歧化阶段的处理；步骤c2、第二次HDDR处理中缓慢脱氢‑再结合阶段：在吸氢‑歧化阶段完成后，将HDDR炉内的温度提升至800～900℃，并使HDDR炉内的氢气压力调整为1～10kPa，保温保压15～60分钟，从而完成缓慢脱氢‑再结合阶段的处理；步骤c3、第二次HDDR处理中完全脱氢阶段：在缓慢脱氢‑再结合阶段完成后，使HDDR炉内的温度维持在800～900℃，并进行15～120分钟的抽真空操作，再使HDDR炉内温度快速降温至50℃以下，从而完成第二次HDDR处理中完全脱氢阶段的处理，得到高矫顽力的稀土铁硼系各向异性磁粉。
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