[发明专利]一种塑性金属纳米Cu/Ru多层膜的制备方法有效
申请号: | 201510044189.9 | 申请日: | 2015-01-28 |
公开(公告)号: | CN104630711B | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 黄平;周青;王飞;徐可为 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | C23C14/16 | 分类号: | C23C14/16;C23C14/34 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人: | 陆万寿 |
地址: | 710049*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种塑性金属纳米Cu/Ru多层膜的制备方法,该方法采用磁控溅射技术,通过控制不同组成元素铜层和钌层交替更迭,并通过溅射过程转速、偏压等实验参数的调整铜层和钌层的单层厚度均与1.5nm,从而形成具有相同面心立方结构的铜层和钌层。该工艺通过在脆性钌相中加入第二相铜,诱导密排六方的钌层向面心立方的相转化。该方法制备的薄膜结构致密,可以很容易通过控制单层薄膜厚度来控制钌相的结构结构,从而为制备塑性优异的钌合金材料提供可能。同时,该方法操作简单,成本较低,易于在工业上实现和推广。 | ||
搜索关键词: | 一种 塑性 金属 纳米 cu ru 多层 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种塑性金属纳米Cu/Ru多层膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)将单面抛光单晶硅基片分别用酒精和丙酮超声清洗,吹干后,放入超高真空磁控溅射设备基片台上,准备镀膜;2)将需要溅射的金属靶材安置在靶材座上,通过调整中电源的功率控制靶的溅射率;采用高纯Ar作为离化气体,保证有效的辉光放电过程;3)硅片溅射沉积时,采用直流和射频电源,溅射过程中,沉积速率为铜层每分钟10纳米,钌层每分钟7纳米;先在硅基体上用射频电源镀一层铜层,以这层铜层作为钌层生长的模板,在上面用直流电源镀一层钌层,这样交替沉积铜层和钌层形成多层膜,最终达到所需的厚度和层数,铜钌多层膜的单层厚度为1.5nm。
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