[发明专利]肖特基二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201510044306.1 | 申请日： | 2015-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN104617160B | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 贺致远;徐华伟;黄庆礼;黄林轶 | 申请（专利权）人： | 工业和信息化部电子第五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/16;H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 李海恬,万志香 |
| 地址： | 510610 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种肖特基二极管及其制造方法。所述肖特基二极管包括衬底、缓冲层、外延结构、肖特基接触金属以及欧姆接触金属，衬底、缓冲层、外延结构依次层叠设置；所述外延结构包括依次层叠的超结层、GaN沟道层和势垒层，所述超结层是由复数个p型GaN层与n型GaN层互相交替层叠构成；所述肖特基接触金属与欧姆接触金属分别对称设置于所述外延结构的相对的两侧面，且一端延伸至所述外延结构的上表面，另一端延伸至所述缓冲层。该肖特基二极管，具有较高的耐压特性，且保证了电流传输能力及稳定性，避免采用传统的场板结构和保护环结构，可以简化制作工艺，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基二极管，其特征在于，包括：衬底、缓冲层、外延结构、肖特基接触金属以及欧姆接触金属，衬底、缓冲层、外延结构依次层叠设置；所述外延结构包括依次层叠的超结层、GaN沟道层和势垒层，所述超结层是由复数个p型GaN层与n型GaN层互相交替层叠构成；所述肖特基接触金属与欧姆接触金属分别对称设置于所述外延结构的相对的两侧面，且一端延伸至所述外延结构的上表面，另一端延伸至所述缓冲层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于工业和信息化部电子第五研究所，未经工业和信息化部电子第五研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510044306.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
