[发明专利]一种高硅铝合金电子封装材料的制备方法在审
| 申请号： | 201510048252.6 | 申请日： | 2015-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN105986134A | 公开（公告）日： | 2016-10-05 |
| 发明（设计）人： | 邓宏贵;王日初;刘继嘉 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C22C1/02 | 分类号： | C22C1/02;C22C21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410083 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明设计一种新型高硅铝合金电子封装材料的制备方法，其主要步骤为：先将硅铝材料按比例配料，其中硅原料的质量百分比为12％～50％，其余为工业纯铝；将混合后的材料放入中频感应炉内加热、搅拌，并进行覆盖造渣与除气处理，采用喷射沉积将金属熔液制成锭坯；对锭坯采用热等静压方式进行致密化处理，冷却后即可得到致密度大于99％的高硅铝合金电子封装材料。本发明成本较低，操作流程简单，所制备的高硅铝合金材料具有组织均匀、致密度高、膨胀系数低和导热性高等特点，综合性能优异，完全适用于现代电子封装领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铝合金 电子 封装 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种新型高硅铝合金电子封装材料的制备方法，包括以下步骤：1)将硅铝材料按比例配料；2)将上述材料熔炼、搅拌，喷射沉积得到锭坏；3)将锭坯进行致密化加工，即得到致密度大于99％的高硅铝合金电子封装材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中南大学，未经中南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510048252.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种采用偏钒酸铵生产钒氮合金的方法及其设备
- 下一篇：一种压力管道焊接方法
