[发明专利]多晶硅太阳能电池及其制作方法在审
| 申请号： | 201510049632.1 | 申请日： | 2015-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN104733564A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 张红妹;王涛;马红娜 | 申请（专利权）人： | 英利集团有限公司;英利能源（中国）有限公司;保定天威英利新能源有限公司;河北流云新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0368;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种多晶硅太阳能电池及其制作方法，该方法包括：对多晶硅基体进行酸溶液清洗；清洗完成后，对所述多晶硅基体进行扩散吸杂；扩散吸杂完成后，对所述多晶硅基体表面进行织构化处理，制成太阳能电池。本发明实施例所提供的制作方法，可以利用酸溶液清洗去除所述多晶硅基体表面吸附的一些金属离子，避免这些金属离子在后期制作中进入硅基体内部，再利用扩散吸杂减小所述多晶硅基体内部的金属杂质离子，降低了所述多晶硅基体内部的重金属杂质离子数量，提高了所述多晶硅太阳能电池的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：对多晶硅基体进行酸溶液清洗；清洗完成后，对所述多晶硅基体进行扩散吸杂；扩散吸杂完成后，对所述多晶硅基体表面进行织构化处理，制成多晶硅太阳能电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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