[发明专利]倒装LED芯片及其制备方法

摘要

倒装LED芯片及其制备方法，倒装LED芯片包括衬底、N型氮化镓层、发光层及P型氮化镓层，P型氮化镓层上形成有反射层或电流扩展层，还包括第一绝缘层、P型电极、N型电极、形成于P型电极或N型电极上的环形的散热凹槽、第二绝缘层、第二绝缘层上形成有散热孔，散热孔在水平面上的投影位于散热凹槽内；沉积于第二绝缘层上并与N型电极连接的N焊盘；沉积于第二绝缘层上并与P型电极连接的P焊盘；填充满散热孔的导热柱，导热柱的顶部与第二绝缘层表面平齐或露出于第二绝缘层。本发明在N型电极或P型电极上设置穿过第二绝缘层的导热柱，可以直接将热量向外导出或导出至P焊盘和N焊盘，不必再经过第二绝缘层，使芯片散热速度更快，散热效果更好。

主权项

倒装LED芯片，包括衬底以及依次生长于所述衬底表面上的N型氮化镓层、发光层及P型氮化镓层，所述N型氮化镓层、发光层及P型氮化镓层构成芯片的外延层，所述P型氮化镓层上形成有反射层或电流扩展层；其特征在于，还包括：覆盖所述外延层和所述反射层或电流扩展层表面的第一绝缘层；与所述反射层或电流扩展层电连接的P型电极，所述P型电极形成于所述第一绝缘层上；与所述N型氮化镓层电连接的N型电极，所述N型电极形成于所述第一绝缘层上；形成于所述P型电极或N型电极上的环形的散热凹槽，所述散热凹槽贯穿至所述第一绝缘层表面，所述散热凹槽位于芯片中部或芯片两端；覆盖于所述P型电极和N型电极表面上及位于P型电极和N型电极之间的第一绝缘层表面上的第二绝缘层，所述第二绝缘层填充满所述散热凹槽，所述第二绝缘层上形成贯穿至所述P型电极或N型电极表面的散热孔，所述散热孔在水平面上的投影位于所述散热凹槽内；沉积于所述第二绝缘层上并与所述N型电极连接的N焊盘；沉积于所述第二绝缘层上并与所述P型电极连接的P焊盘；填充满所述散热孔的导热柱，所述导热柱的顶部与所述第二绝缘层表面平齐或露出于所述第二绝缘层。