[发明专利]一种太赫兹源的强磁聚焦磁体系统有效
| 申请号： | 201510050788.1 | 申请日： | 2015-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN104599805B | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 王秋良;胡新宁;戴银明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | H01F6/00 | 分类号： | H01F6/00;H01F6/06 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司11251 | 代理人： | 关玲 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种太赫兹源的强磁聚焦磁体系统，由6个NbTi和2个Nb3Sn线圈以不同的空间位置和电流密度分布构成。磁体系统产生中心强度为16T磁场分布，满足太赫兹(THz)器件所要求的磁场均匀区长度为200mm和阴极区磁场强度为3000高斯的要求。整体超导线圈电磁设计由内到外径向电流密度逐渐增大。内层主线圈高磁场部分采用Nb3Sn超导线材，外层校正线圈使用线径由内到外逐渐减小的多种NbTi超导线组合。本发明采用分布式微流与分布式Litz高热导的固体丝与制冷机相连接，实现系统的整体冷却。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 赫兹 聚焦 磁体 系统 | ||
【主权项】：
一种太赫兹源的强磁聚焦磁体系统，其特征在于：所述的强磁聚焦磁体系统包括两个超导主线圈(1、2)，四个超导校正线圈(3、4、5、6、)和两个阴极磁场补偿超导线圈(7、8)；第一超导主线圈(1)位于强磁聚焦磁体系统的最内层，第二超导主线圈(2)与第一超导主线圈(1)同轴布置于第一超导主线圈(1)的外表面；第一超导校正线圈(3)同轴布置于第二超导主线圈(2)一端端部的外表面；第二超导校正线圈(4)同轴布置于第一超导校正线圈(3)的外表面；第三超导校正线圈(5)同轴布置于第二超导主线圈(2)另一端端部的外表面；第四超导校正线圈(6)同轴布置于第三超导校正线圈(5)的外表面；第一超导主线圈(1)和第二超导主线圈(2)的轴向端面两侧分别布置有第一阴极磁场补偿超导线圈(7)和第二阴极磁场补偿超导线圈(8)；所述的两个超导主线圈(1、2)，四个磁场校正线圈(3、4、5、6、)和两个阴极磁场补偿超导线圈(7、8)组成磁体系统；第一超导主线圈(1)、第二超导主线圈(2)、第一超导校正线圈(3)、第二超导校正线圈(4)、第三超导校正线圈(5)、第四超导校正线圈(6)、第一阴极磁场补偿超导线圈(7)和第二阴极磁场补偿超导线圈(8)内部均布有分布式固体导冷Litz线(10)；第一超导主线圈(1)、第二超导主线圈(2)、第一超导校正线圈(3)、第二超导校正线圈(4)、第三超导校正线圈(5)、第四超导校正线圈(6)、第一阴极磁场补偿超导线圈(7)和第二阴极磁场补偿超导线圈(8)的表面缠绕有微流热交换器(9)，分布式固体导冷Litz线(10)和微流热交换器(9)与制冷机(11)相连接；所述的磁体系统通过稀土材料掺杂环氧树脂，采用真空浸渍工艺固化成型。
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