[发明专利]聚对氨基苯磺酸/印迹聚邻苯二胺修饰电极及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201510051048.X | 申请日： | 2015-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN104655708B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 阚显文;滕颖 | 申请（专利权）人： | 安徽师范大学 |
| 主分类号： | G01N27/48 | 分类号： | G01N27/48;G01N27/31 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司11283 | 代理人： | 孙向民,董彬 |
| 地址： | 241002 安徽省芜*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种聚对氨基苯磺酸/印迹聚邻苯二胺修饰电极及其制备方法和应用，所述方法包括a、将目标电极置于第一缓冲溶液中采用循环伏安法进行扫描制备聚对氨基苯磺酸修饰电极的工序；b、将所述聚对氨基苯磺酸修饰电极置于第二缓冲溶液中采用循环伏安法进行扫描制备聚邻苯二胺修饰电极的工序；c、将所述聚邻苯二胺修饰电极进行洗脱制备聚对氨基苯磺酸/印迹聚邻苯二胺修饰电极的工序；其中，所述第一缓冲溶液含有对氨基苯磺酸，所述第二缓冲溶液含有扑热息痛、邻苯二胺和氯化钾。通过该方法制得的聚对氨基苯磺酸/印迹聚邻苯二胺修饰电极对扑热息痛具有强的电流响应信号和优异的选择性。 | ||
| 搜索关键词： | 氨基 苯磺酸 印迹 聚邻苯二胺 修饰 电极 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种聚对氨基苯磺酸/印迹聚邻苯二胺修饰电极的制备方法，其特征在于，所述方法包括：a、将目标电极置于第一缓冲溶液中采用循环伏安法进行扫描制备聚对氨基苯磺酸修饰电极的工序；b、将所述聚对氨基苯磺酸修饰电极置于第二缓冲溶液中采用循环伏安法进行扫描制备聚邻苯二胺修饰电极的工序；c、将所述聚邻苯二胺修饰电极进行洗脱制备聚对氨基苯磺酸/印迹聚邻苯二胺修饰电极的工序；其中，所述第一缓冲溶液含有对氨基苯磺酸，所述第二缓冲溶液含有扑热息痛、邻苯二胺和氯化钾；在步骤b中，所述第二缓冲溶液中的氯化钾的摩尔浓度为0.08‑0.12M，所述第二缓冲溶液中的扑热息痛的摩尔浓度为3‑8mM，相对于1mmol的扑热息痛，所述邻苯二胺的用量为0.5‑3mmol；在步骤b中，所述循环伏安法的具体条件符合以下条件：扫描电位0V～0.8V，扫描速率为25‑100mV/s，扫描圈数为25‑40圈。
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