[发明专利]基于差分结构的GaAs逻辑单元及其串并转换电路有效
| 申请号： | 201510051935.7 | 申请日： | 2015-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN104682967B | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 陈普锋 | 申请（专利权）人： | 天津中科海高微波技术有限公司 |
| 主分类号： | H03M9/00 | 分类号： | H03M9/00 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 李文洋 |
| 地址： | 300451 天津市滨海新区塘沽新北*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及GaAs逻辑电路，尤其涉及一种基于差分结构的GaAs逻辑单元及其串并转换电路。所述的逻辑单元包括差分输入逻辑门以及由耗尽型场效应管D1、耗尽型场效应管D2、电阻R1、电阻R2组成的负载；其中，耗尽型场效应管D1和D2的漏极分别接地，耗尽型场效应管D1和D2的源极分别与所述电阻R1和电阻R2的一端连接，所述电阻R1另一端分别接所述差分输入逻辑门和耗尽型场效应管D1的栅极，所述电阻R2另一端分别接所述差分输入逻辑门和耗尽型场效应管D2的栅极。本发明所述逻辑单元及串并转换电路，具有结构简单、速度快、功耗低、面积小的优势，并且不同温度和电源电压的变化对其影响较小。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应管 耗尽型 电阻 逻辑单元 串并转换电路 输入逻辑门 差分结构 电源电压 一端连接 接地 功耗 漏极 源极 | ||
【主权项】：
1.一种基于差分结构的GaAs逻辑单元，其特征在于：所述的逻辑单元包括差分输入逻辑门以及由耗尽型场效应管D1、耗尽型场效应管D2、电阻R1、电阻R2组成的负载；其中，耗尽型场效应管D1和D2的漏极分别接地，耗尽型场效应管D1和D2的源极分别与所述电阻R1和电阻R2的一端连接，所述电阻R1另一端分别接所述差分输入逻辑门和耗尽型场效应管D1的栅极，所述电阻R2另一端分别接所述差分输入逻辑门和耗尽型场效应管D2的栅极。
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