[发明专利]调整接触电阻的工艺方法在审
| 申请号： | 201510052266.5 | 申请日： | 2015-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN104637802A | 公开（公告）日： | 2015-05-20 |
| 发明（设计）人： | 黄飞;李志国;杨勇;姜国伟;丁同国;曹子贵 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供的调整接触电阻的工艺方法，包括：提供半导体衬底；沉积第一金属层，所述第一金属层覆盖所述半导体衬底；沉积第二金属，在开始沉积所述第二金属时延迟一预定时间通入一反应气体，使得所述第二金属与所述反应气体形成一顶层保护层。本发明的调整接触电阻的工艺方法中，通过增加顶层保护层的延展性，使得最后形成的合金层的边缘与中心的厚度更加均匀，从而，可以调整合金层的接触电阻值。 | ||
| 搜索关键词： | 调整 接触 电阻 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种调整接触电阻的工艺方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；沉积第一金属层，所述第一金属层覆盖所述半导体衬底；在所述第一金属层上沉积第二金属，在开始沉积所述第二金属时延迟一预定时间通入一反应气体，使得所述第二金属与所述反应气体形成一顶层保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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