[发明专利]闪存单元逻辑状态读取值的判断方法有效
| 申请号： | 201510052267.X | 申请日： | 2015-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN104599716B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 高超 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的闪存单元逻辑状态读取值的判断方法，包括：提供一m行的闪存单元阵列，设定一固定电流I0；在每一行中选取若干个所述闪存单元作为参考单元，取所述参考单元的电流的平均值为该行的参考电流Iri，其中，i＝1，……，m；取第一比例的所述固定电流I0与第二比例的第i行的所述参考电流Iri相加的和为第i行的临界电流Ii，当第i行的闪存单元的电流大于等于该行的临界电流Ii时，判断所述闪存单元为第一逻辑状态，当第i行的所述闪存单元的电流小于该行的临界电流Ii时，判断所述闪存单元为第二逻辑状态。本发明中，取第一比例的固定电流I0与第二比例的第i行的参考电流Iri相加的和为第i行的临界电流Ii，减小负载效应对于闪存单元逻辑状态读取的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存单元 逻辑状态 临界电流 读取 参考电流 固定电流 参考单元 相加 闪存单元阵列 负载效应 减小 | ||
【主权项】：
1.一种闪存单元逻辑状态读取值的判断方法，其特征在于，包括：提供一m行的闪存单元阵列，设定一固定电流I0；在每一行中选取若干个所述闪存单元作为参考单元，取所述参考单元的电流的平均值为该行的参考电流Iri，其中，i＝1，……，m；取第一比例的所述固定电流I0与第二比例的第i行的所述参考电流Iri相加的和为第i行的临界电流Ii，当第i行的闪存单元的电流大于等于该行的临界电流Ii时，判断所述闪存单元为第一逻辑状态，当第i行的所述闪存单元的电流小于该行的临界电流Ii时，判断所述闪存单元为第二逻辑状态。
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