[发明专利]具有高线性度的射频开关

摘要

本申请提供一种具有高线性度的射频开关，该射频开关包括一个开关主电路和开关次电路，该开关主电路的一端为射频信号输入端，另外一端为射频信号输出端，该射频信号输出端与负载连接；该开关主电路包括多个串联连接的MOSFET；该开关次电路的一端连接于开关主电路的射频信号输出端，另一端接地；该开关次电路包括多个串联连接的MOSFET；其中，开关次电路中邻近开关主电路射频信号输出端的MOSFET沟道尺寸的宽度与长度的比值(W/L)比远离开关主电路射频信号输出端的MOSFET的沟道尺寸的宽度与长度的比值(W/L)大。本申请采用较少数量的串联MOSFET能实现更高的线性度，防止开关分次电路中MOSFET在大电压摆幅下被击穿，从而实现更有性价比的射频开关芯片。

主权项

一种射频开关，该射频开关包括一个开关主电路和开关次电路，其特征在于：所述开关主电路的一端为射频信号输入端，另外一端为射频信号输出端，该射频信号输出端与负载连接；该开关主电路包括多个串联连接的MOSFET；所述开关次电路的一端连接于开关主电路的射频信号输出端，另一端接地；该开关次电路包括多个串联连接的MOSFET；其中，开关次电路中邻近所述开关主电路射频信号输出端的MOSFET沟道尺寸的宽度与长度的比值(W/L)比远离所述开关主电路射频信号输出端的MOSFET的沟道尺寸的宽度与长度的比值(W/L)大。