[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201510053319.5 | 申请日： | 2015-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN105984832B | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 郑超;李卫刚;王伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B3/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟,冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置，所述方法包括步骤S1提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆的正面上形成有图案化的牺牲层；步骤S2执行MEMS工艺，以在所述MEMS晶圆的正面形成MEMS器件并覆盖所述牺牲层；步骤S3反转所述步骤S2中得到的元件，并图案化所述MEMS晶圆的背面，以形成凹槽；步骤S4沿所述牺牲层的轮廓切割所述凹槽的底部至所述MEMS器件，以露出所述牺牲层的边缘；步骤S5去除所述牺牲层以及位于所述牺牲层上方的所述MEMS晶圆，以露出所述MEMS器件，形成MEMS背孔。本发明的优点在于1、改善了背孔的形貌。使得背孔的腔体体积可控。2、提高了产品的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种MEMS器件的制备方法，包括：步骤S1：提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆的正面上形成有图案化的牺牲层；步骤S2：执行MEMS工艺，以在所述MEMS晶圆的正面形成MEMS器件并覆盖所述牺牲层；步骤S3：反转所述步骤S2中得到的元件，并图案化所述MEMS晶圆的背面，以形成凹槽；步骤S4：沿所述牺牲层的轮廓切割所述凹槽的底部至所述MEMS器件，以露出所述牺牲层的边缘；步骤S5：去除所述牺牲层以及位于所述牺牲层上方的所述MEMS晶圆，以露出所述MEMS器件，形成MEMS背孔。
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