[发明专利]阵列基板及其制作方法和驱动方法、显示装置有效
申请号: | 201510053731.7 | 申请日: | 2015-02-02 |
公开(公告)号: | CN104571715B | 公开(公告)日: | 2018-01-02 |
发明(设计)人: | 刘英明;董学;王海生;陈小川;丁小梁;杨盛际;赵卫杰;刘红娟;李昌峰;刘伟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041;G06F3/044;G02F1/1333;G02F1/1343 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种阵列基板及其制作方法和驱动方法、显示装置,所述阵列基板包括衬底基板、设置于所述衬底基板上的多条栅线和多条数据线;所述栅线和所述数据线限定多个呈阵列分布的像素单元;每个像素单元包括公共电极、像素电极以及薄膜晶体管;所述公共电极所在的层远离所述衬底基板的一侧设有第一绝缘层;所述第一绝缘层的远离所述衬底基板的一侧设有多个自电容电极。与采用互电容技术的阵列基板相比该阵列基板的制作流程少且信噪比较高。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 驱动 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,包括衬底基板、设置于所述衬底基板上的多条栅线和多条数据线,其中,所述栅线和所述数据线限定多个呈阵列分布的像素单元;每个像素单元包括公共电极、像素电极以及薄膜晶体管;所述公共电极所在的层远离所述衬底基板的一侧设有第一绝缘层;所述第一绝缘层的远离所述衬底基板的一侧设有多个自电容电极;其中,当所述自电容电极位于所述像素电极所在的层背离所述衬底基板的一侧时,或者当所述自电容电极与所述像素电极并排位于同一膜层上时,所述自电容电极上设有保护层,并且,所述保护层与所述像素电极采用相同材料同时形成。
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