[发明专利]一种Ag‑SiO2‑Ag纳米球阵列的制备方法

摘要

本发明实施例提供一种Ag‑SiO2‑Ag纳米球阵列的制备方法，所述方法包括在单晶硅样品硅片表面热蒸镀一层银薄膜；将单晶硅样品放入化学气相沉积反应腔中加热至预设温度，使银薄膜固态脱湿以形成银纳米颗粒；在所述预设温度下通入反应气体硅烷，使银纳米颗粒表面均匀沉积一层极薄的硅纳米薄膜，得到Ag‑Si核壳纳米球阵列结构；再将单晶硅样品取出放置在氧气气氛中加热，使Si纳米壳氧化成SiO2；在样品表面再热蒸镀预设厚度的银薄膜，以形成Ag‑SiO2‑Ag核‑壳纳米球阵列结构，以作为表面增强拉曼散射SERS的基底。本发明可以提供一种具有表面增强拉曼效应的Ag‑SiO2‑Ag纳米球阵列的制备方法的技术方案。

主权项

一种Ag‑SiO2‑Ag纳米球阵列的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在单晶硅样品硅片表面热蒸镀一层银薄膜；将单晶硅样品放入化学气相沉积反应腔中加热至预设温度，使银薄膜固态脱湿以形成银纳米颗粒；在所述预设温度下通入反应气体硅烷，使银纳米颗粒表面均匀沉积一层极薄的硅纳米薄膜，得到Ag‑Si核壳纳米球阵列结构；再将单晶硅样品取出放置在氧气气氛中加热，使Si纳米壳氧化成SiO2，包括：将单晶硅样品取出放置在加热热台上，在洁净的空气中加热至100℃并保温5小时，使表面的硅纳米薄膜完全氧化成二氧化硅，得到Ag‑SiO2核‑壳纳米球结构；在样品表面再热蒸镀预设厚度的银薄膜，以形成Ag‑SiO2‑Ag核‑壳纳米球阵列结构，以作为表面增强拉曼散射SERS的基底，包括：采用热蒸发设备在单晶硅样品表面再热蒸镀预设厚度的银薄膜，以形成Ag‑SiO2‑Ag核‑壳纳米球阵列结构；该结构沉积的Ag膜厚度为10nm，热蒸发的速率为样品台转动速率为20r/min；将所述Ag‑SiO2‑Ag核‑壳纳米球阵列结构作为SERS检测的活性基底，以检测探针分子的拉曼信号，包括：将基底浸泡在含有罗丹明6G的水溶液中，该水溶液浓度10‑6～10‑13M，浸泡时间为1小时后取出，使待测分子吸附在基底的表面；将活性基底置于拉曼光谱仪激光下照射，激光波长选择633nm，功率选择为0.24mW。