[发明专利]快闪存储器晶圆测试方法以及机台有效
| 申请号： | 201510054514.X | 申请日： | 2015-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN105989895B | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 蔡耀庭;廖修汉;连世璋 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/04 | 分类号： | G11C29/04;G11C29/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 汤在彦 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种快闪存储器晶圆测试方法以及机台。所述方法包括：提供一强编程化电位；提供一一般擦除电位；以及，以该强编程化电位以及该一般擦除电位反复编程化以及擦除一快闪存储器晶圆上的多个快闪存储器晶粒达N次。N值根据所述快闪存储器晶粒的一耐受度预估值而设定，使以该强编程化电位以及该一般擦除电位反复编程化以及擦除所述快闪存储器晶粒N次的过程中略去验证操作。本发明能够加速不良晶粒的筛除，使测试流程简洁快速。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 储器晶圆 测试 方法 以及 机台 | ||
【主权项】：
1.一种快闪存储器晶圆测试方法，其特征在于，所述快闪存储器晶圆测试方法包括：提供一强编程化电位；提供一一般擦除电位；以及以该强编程化电位以及该一般擦除电位反复编程化再擦除一快闪存储器晶圆上的多个快闪存储器晶粒达N次，其中，N值根据所述快闪存储器晶粒的一耐受度预估值而设定，使以该强编程化电位以及该一般擦除电位反复编程化再擦除所述快闪存储器晶粒N次的过程中略去验证操作。
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