[发明专利]静电容量型压力传感器、压力检测器及输入装置在审
| 申请号： | 201510055458.1 | 申请日： | 2015-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN104848970A | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | 井上胜之;寺阪麻理子;佐野浩二;奥野敏明;古村由幸 | 申请（专利权）人： | 欧姆龙株式会社 |
| 主分类号： | G01L1/14 | 分类号： | G01L1/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张劲松 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种静电容量型压力传感器、压力检测器及输入装置，在使用了半导体基板的静电容量型压力传感器中进一步扩大动态范围。通过电介体层(33)覆盖P型或N型的半导体基板(32)的上面。在电介体层的上面形成凹槽(34)。在电介体层的上面层叠上基板(35)。上基板(35)中与凹槽(34)相对的区域为可变形的隔膜(36)，隔膜(36)的外周部分(37)固定于电介体层的上面。在半导体基板的表层部设置有由具有与半导体基板反极性的导电型的杂质层构成的固定电极(42)。另外，在半导体基板的表层部，在上基板(35)的被固定的区域(外周部分37)的下方形成有由具有与半导体基板反极性的导电型的杂质层构成的反极性层(46)。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 容量 压力传感器 压力 检测器 输入 装置 | ||
【主权项】：
一种静电容量型压力传感器，其特征在于，具有：P型或N型的半导体基板；电介体层，其在上面或下面的一方具有凹部，并覆盖所述半导体基板的上面；上基板，其设置于所述电介体层之上；隔膜，其形成于所述上基板的与所述凹部相对的区域，并可变形；固定电极，其设置于所述半导体基板；反极性层，其在所述半导体基板的表层部，形成于所述上基板的被固定的区域的下方，由具有与所述半导体基板反极性的导电型的杂质层构成。
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