[发明专利]用于半导体制造的改进的接触件有效
| 申请号： | 201510055849.3 | 申请日： | 2015-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN105990280B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768;H01L27/11 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：衬底；位于衬底上的鳍结构，该鳍结构包括掺杂区域；位于鳍结构上方的第一栅极，第一栅极邻近掺杂区域放置，第一栅极在第一侧上具有间隔件并且在栅极与掺杂区域之间的第二侧上没有间隔件；以及接触掺杂区域和栅极的顶部的导电插塞。本发明涉及用于半导体制造的改进的接触件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 制造 改进 接触 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；鳍结构，位于所述衬底上，所述鳍结构包括掺杂区域；第一栅极，位于所述鳍结构上方，所述第一栅极邻近所述掺杂区域放置，所述第一栅极在所述第一栅极的与所述掺杂区域相对的第一侧上具有间隔件并且在所述第一栅极和所述掺杂区域之间的第二侧上没有间隔件，所述第一栅极包括设置在所述鳍结构上方的栅极介电层和设置在所述栅极介电层上方并与所述栅极介电层接触的栅电极，其中，所述栅极介电层沿着所述栅电极的相对侧壁朝向所述第一栅极的顶部延伸，但在所述第二侧没有延伸到所述第一栅极的顶部；以及导电插塞，接触所述掺杂区域、所述栅极介电层和所述栅电极的一个侧壁和所述第一栅极的顶部。
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