[发明专利]发光装置及其制造方法有效
申请号: | 201510057365.2 | 申请日: | 2015-02-04 |
公开(公告)号: | CN104821359B | 公开(公告)日: | 2019-01-01 |
发明(设计)人: | 水田泰治 | 申请(专利权)人: | 豪雅冠得股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/62 |
代理公司: | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人: | 巩同海 |
地址: | 日本埼玉县*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种构造简单,在抑制Ag离子迁移的同时,可高密度地安装的发光装置及其制造方法。发光装置具备基板、形成于基板表面的具有导电性的图案部以及载置于图案部的表面,从出射面射出来自发光层的光的LED(Light Emitting Diode)芯片,在图案部的表面形成有比LED芯片的出射面略大的第1开口部的第1凹部,LED芯片收纳于第1凹部内,介由至少含有银成分的模粘合剂接合于第1凹部的底面。 | ||
搜索关键词: | 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种发光装置,其特征在于,具备:基板;图案部,形成于所述基板的表面且具有导电性;及LED芯片,载置于所述图案部的表面,且从出射面射出来自发光层的光;其中,在所述图案部的表面,形成有第1凹部,其具有与所述LED芯片的出射面相适应的第1开口部,所述LED芯片收纳于所述第1凹部内,且介由至少含有银成分的模粘合剂接合于所述第1凹部的底面,在所述第1凹部与所述LED芯片之间的缝隙中,至少在所述光的波长区域中设有透光率低的遮光部件。
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