[发明专利]铝碳化硅制备方法、所得铝碳化硅及电子元器件封装底板有效
| 申请号： | 201510058322.6 | 申请日： | 2015-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN104658920B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 陈迎龙;王黎明;蒋文评;杨盛良 | 申请（专利权）人： | 湖南浩威特科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/14 |
| 代理公司： | 长沙智嵘专利代理事务所43211 | 代理人： | 黄子平 |
| 地址： | 410200 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种铝碳化硅制备方法及其所得铝碳化硅，铝碳化硅的制备方法，包括填粉和渗铝，填粉步骤包括将粉料填充至铝基板的凹槽中，形成粉料板；在粉料板的表面铺设厚度为0.5mm的铝箔；铝碳化硅中不加除铝和碳化硅以外的其他添加剂。本发明提供的铝碳化硅制备方法通过在碳化硅粉料的表面铺设0.5mm厚的铝箔，再进行渗铝，可防止渗铝过程中铝液对碳化硅层的冲刷，保证渗铝步骤后所得铝碳化硅材料内部组织均匀。而且本发明提供的方法在未加入任何添加剂的情况下，保持了铝碳化硅材料的抗弯强度，从而将所得铝碳化硅材料的热导率提高至250～280W/mK。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 制备 方法 所得 电子元器件 封装 底板 | ||
【主权项】：
一种铝碳化硅的制备方法，包括填粉和渗铝，其特征在于，所述填粉步骤包括：将粉料填充至铝基板的凹槽中，形成粉料板；在所述粉料板的表面铺设厚度为0.5mm的铝箔；所述铝碳化硅中不加除铝和碳化硅以外的其他添加剂。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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