[发明专利]场效应晶体管开关电路有效
| 申请号： | 201510058395.5 | 申请日： | 2015-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN104821811B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 乔治·努赫拉 | 申请（专利权）人： | Qorvo美国公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王萍;李春晖 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开涉及一种开关电路。实施方式包括涉及开关电路的设备、系统和方法。在一些实施方式中，开关电路可以包括第一开关，该第一开关包括信号路径中的n‑沟道场效应晶体管(FET)。开关电路还可以包括对第一开关分路的第二开关。第二开关可以包括放电晶体管以给开关晶体管的体提供放电路径。可以描述和要求保护其他实施方式。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 开关电路 | ||
【主权项】：
1.一种开关电路，包括：第一晶体管，所述第一晶体管具有第一栅极接点、第一漏极接点、第一源极接点和体接点；第二晶体管，所述第二晶体管具有第二栅极接点、与所述第一栅极接点耦接的第二漏极接点和与所述体接点耦接的第二源极接点；以及第一电阻器和第二电阻器，所述第一电阻器和第二电阻器串联耦接在所述第一漏极接点和所述第一源极接点之间，以及其中，所述第二栅极接点在所述第一电阻器和第二电阻器之间的节点处耦接至所述第一电阻器和第二电阻器。
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