[发明专利]一种集成传感器及其制备方法

摘要

本发明提供了一种集成传感器及其制备方法，其方法主要包括：提供一衬底，在所述衬底依次形成加速度传感器、压力传感器；其中，所述加速度传感器垂直位于所述衬底之上，且所述压力传感器垂直位于所述加速度传感器之上，形成CMOS‑MEMS电路垂直整合的压力传感器以及加速度计，减小了1/2的芯片面积，极大提高了传感器芯片的集成化程度，并降低了生产成本，从而提高经济效益；同时本发明所提供的传感器为目前主流的三轴加速度传感器和电容式压力传感器，可广泛应用于航天领域及各种电子设备。

主权项

1.一种集成传感器制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：提供一半导体结构，所述半导体结构包括一衬底，所述衬底之上设置有第一介电层，所述第一介电层中嵌入设置有第一金属电极；在所述第一金属电极上制备加速度传感器后，继续在该加速度传感器的上方制备压力传感器；沉积一钝化层并形成金属互连结构；制备所述加速度传感器的步骤如下：制备第一MEMS材料层覆盖在所述第一金属电极的部分上表面；沉积第二介电层，且该第二介电层的顶部平面低于所述第一MEMS材料层的顶部平面；沉积第一牺牲材料层将两侧第一金属电极之上的第一MEMS材料之间的沟槽进行填充；在所述第一MEMS材料层正上方继续制备第二MEMS材料层，且该第二MEMS材料层同时将第一牺牲材料层的上表面予以覆盖；沉积第三介电层并抛光至所述第二MEMS材料层的上表面；图案化所述第二MEMS材料层，形成加速度传感器的固定感测块及位于固定感测块之间的质量块；其中，所述第一金属电极作为所述加速度传感器的底部电极；所述压力传感器包括有压力传感器底部电极及压力传感膜；所述压力传感膜设置有若干开口；所述开口宽度为，0.52um，或0.53um，或0.55um，或0.58um。