[发明专利]一种半浮栅器件及其制备方法

摘要

本发明提供了一种半浮栅器件及其制备方法，包括位于半导体衬底中的有源区、场氧区，在有源区的漏区表面的具有浮柵开口的第一绝缘层，覆盖浮柵开口和第一绝缘层的浮栅，位于浮栅开口下方的漏区中的扩散区，覆盖浮栅和漏区表面的第二绝缘层，覆盖第二绝缘层的控制栅，位于控制栅侧壁的侧墙，分别位于控制栅两侧的具有重掺杂源区和重掺杂漏区，以及重掺杂源区、重掺杂漏区、控制栅和半导体衬底的引出极，在轻掺杂漏区中具有一凹槽区域，凹槽区域位于扩散区和重掺杂漏区之间，第二绝缘层覆盖凹槽区域内壁和底部，控制栅填充于凹槽区域中，重掺杂漏区材料为窄禁带宽度材料，增加了带间遂穿发生率，减少漏电，提高了器件读写速度。

主权项

一种半浮栅器件，包括：一具有第一种掺杂类型的半导体衬底，在半导体衬底内的有源区和场氧区，在有源区中一侧的具有第二种掺杂类型的轻掺杂漏区，在所述轻掺杂漏区表面的具有浮柵开口的第一绝缘层，覆盖所述浮柵开口和所述第一绝缘层的具有第一种掺杂类型的浮栅，位于所述浮栅开口下方所述轻掺杂漏区中的具有第一种掺杂类型的扩散区，覆盖所述浮栅和所述轻掺杂漏区表面的第二绝缘层，覆盖所述第二绝缘层的具有第二种掺杂类型的控制栅，位于控制栅侧壁的侧墙，分别位于所述控制栅两侧的具有第二种掺杂类型的重掺杂源区和第二种掺杂类型的重掺杂漏区，以及所述重掺杂源区、所述重掺杂漏区、所述控制栅以及所述半导体衬底的引出极，其特征在于，还包括：在所述轻掺杂漏区中具有一凹槽区域，所述凹槽区域的深度小于所述轻掺杂漏区的深度；所述凹槽区域位于所述扩散区和所述重掺杂漏区之间，所述第二绝缘层覆盖所述凹槽区域内壁和底部，所述控制栅底部填充于所述凹槽区域中；所述重掺杂漏区的材料为具有窄禁带宽度的材料；所述控制栅在沟道长度方向的长度大于所述浮栅的长度。